Photoluminescence properties of ZnO thin films prepared by DC magnetron sputtering

)被学习。结果证明在 520 nm 的一座绿光致发光山峰能在所有样品被观察，其紧张与增加氧增加部分压力；因为样品在真空退火了，绿山峰的紧张也增加。在 ZnO 观察的绿光致发光山峰可以被归因于锌空缺，它可能在锌空缺层次并且在原子价乐队上面在传导乐队和锌空缺层次从在电子之间的转变，或从在电子之间的转变发源。