2006•Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunyatseniRequires access
Deposition of GaN thin film on ZnO/Si by DIBD method
Li, Geng-wei, Yang, Shaoyan, Liu, Zhikai, Zheng, Zhiyuan
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Abstract
轧了薄电影被双离子横梁成功地在 ZnO/Si 的样品上种免职(DIBD ) 系统。薄电影 GaN/ZnO/Si 被描绘由在原处 X 光检查光电子光谱学(XPS ) 。它被看那在以后一薄轧了在 Zn/Si 上种的电影， Zn 和 O 的山峰没被观察。这显示轧了电影能被系统与搏动的激光免职(PLD ) 联系了的双离子横梁免职(DIBD ) 成功地在 ZnO/Si 上种方法。CLC 数字 O484.1 文件代码 A 由国家鈥 ? 支持了 63 鈥 ? 节目(号码 863-715-001-0162 ) 并且由地球科学(北京)( 号码 200524 ) 的中国大学的科技基础。