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1979•ChemInformRequires access

ChemInform Abstract: IN SITU SURFACE ANALYSIS OF THE VAPOR PHASE EPITAXY OF GALLIUM ARSENIDE

J. B. Theeten, François Hottier

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Abstract

Abstract Der Wachstumsmechanismus von epitaktischen (001)‐, (111)Ga‐ und (111)As‐orientierten GaAs‐Schichten wird in situ mit einer kombinierten Apparatur aus Oberflächenanalysator (Ellipsometrie, LEED, RHEED und AES) und VPE‐Reaktor (GaAs‐AsC13‐H2‐System) untersucht.

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Abstract Der Wachstumsmechanismus von epitaktischen (001)‐, (111)Ga‐ und (111)As‐orientierten GaAs‐Schichten wird in situ mit einer kombinierten Apparatur aus Oberflächenanalysator (Ellipsometrie, LEED, RHEED und AES) und VPE‐Reaktor (GaAs‐AsC13‐H2‐System) untersucht.

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Abstract Der Wachstumsmechanismus von epitaktischen (001)‐, (111)Ga‐ und (111)As‐orientierten GaAs‐Schichten wird in situ mit einer kombinierten Apparatur aus Oberflächenanalysator (Ellipsometrie, LEED, RHEED und AES) und VPE‐Reaktor (GaAs‐AsC13‐H2‐System) untersucht.

Key concepts: Epitaxy, Gallium arsenide, In situ, Reflection high-energy electron diffraction, Vapor phase, Materials science, Gallium, Chemistry

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