2000•Applied Science and Convergence TechnologyRequires access
Al 박막의 underlayer로서의 Ionized Physical Vapor Deposition (I - PVD) Ti 또는 I - PVD Ti / Metal - Organic Chemical Vapor Deposition TiN
이원준, 나사균
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Abstract
Underlayer의 종류 및 두께가 Al 박막의 texture 및 면저항 변화에 미치는 영향을 연구하였다. Al의 underlayer로는 ionized physical vapor deposition(I-PVD)에 의해 제조된 Ti와 I-PVD Ti 위에 metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD)에 의해 제조된 TiN을 적층한 구조가 사용되었으며, 각각에 대해 두께를 변화시키면서 Al 박막의 배향성, 면저항을 조사하고, 400℃, N₂ 분위기에서 열처리하면서 면저항의 변화를 조사하였다. I-PVD Ti만을 Al의 underlayer로 사용한 경우, Ti 두께가 5 ㎚이어도 Al 박막이 우수한 배향성을 나타내었으나, Al-Ti 반응 때문에 열처리 후 Al 배선의 면저항이 크게 상승하였다. I-PVD Ti와 Al 사이에 MOCVD TiN을 적용함에 의해 Al 배향성의 큰 저하없이 Al-Ti 반응에 의한 면저항의 증가를 억제할 수 있었으며, MOCVD TiN의 두께가 4 ㎚ 이하일 때 특히 우수한 Al 배향성을 나타내었다.