Bi 계열 Glass Frit 조성이 계면저항에 미치는 영향

태양전지 펜널에서 전자를 모으기 위하여 전면전극이 사용되어야 한다. 전면전극은 paste 형태로 사용되며 Si-태양전지 wafer 위에 인쇄되고, 약 800℃에서 소결된다. 사용되는 paste는 Ag powder와 Ag 전극과 n-type 반도체 층간에 ohmic contact을 이루는 glass frit으로 구성된다. 선행연구에서 Bi계 두 개의 상용 glass frit을 사용한 Ag 전극이 계면저항에서 큰 차이를 보였다. 그들의 주조성은 Bi-Zn-B-Si-O였고, 몇몇의 첨가제가 그들 중 하나에 추가되었다. 본 실험에서는 주조성 중 Bi2O3와 ZnO 비율에 따라 glass frit이 만들어졌다. 그 다음에 이들을 이용하여 paste를 각각 제조하였다. 그리고 산화물 첨가제가 추가된 glass frit을 이용한 paste 또한 제조되었다. Bi2O3와 ZnO 비율에 따른 계면저항의 변화는 크지 않았다. G6 glass frit, 즉, 78% Bi2O3 첨가의 경우에 있어서 계면저항은 190 Ω으로 가장 낮았다. 산화물 첨가 glass frit의 경우에 있어서는 Ca 첨가가 계면저항이 G6보다 10배 이상 증가하였다. 이것은 소결 후 Ca 첨가 glass frit이 Ag 전극과 wafer 사이로 흐르지 않고 Ag 전극 내에 있기 때문으로 생각된다.