2014•分子植物：英文版Requires access
H3K27me3 and H3K4me3 Chromatin Environment at Super-Induced Dehydration Stress Memory Genes of Arabidopsis thaliana
Ning, Liu, Michael Michael, Fromm, Zoya, Viktoriya Avramova
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Abstract
到一个压力的暴露前可以改变植物细胞，生物化学，或 transcriptional 回答在未来 encountersas 期间从以前的压力的记忆。响应第一个脱水压力的基因增加抄写，而是更高的抄本在一个随后的压力铺平的 producingmuch，在 Arabidopsis thaliana 代表另加的抄写记忆基因。在五 dehydrationstress 记忆基因学习的染色质环境(Lys 4 和 Lys 27， H3K4me3，和 H3K27me3 的 histone H3 tri-methylations ) 揭示了不同地回答 deficiencyand 在浇的恢复时期期间显示了不同 transcriptional 活动到 CLF 的不同记忆反应子类的存在。在最重要的 findingsis 之中， H3K27me3 函数的新奇方面在特定的脱水压力存储器基因观察了。与它是的 well-knownrole 相对照染色质在发展地调整的基因的压抑的机制， H3K27me3 没阻止抄写 thedehydration 反应压力的基因。高 H3K27me3 在 transcriptionally 不活跃的状态期间铺平现在 interferewith 转变到活跃抄写并且与 H3K4me3 累积。H3K4me3 和 H3K27me3 标记功能 independentlyand 不在脱水是互相独占的反应压力的记忆 genes.Key 词：