2010•稀有金属：英文版Requires access
Enhancement of room-temperature magnetoresistance in La0.5Sm0.2Sr0.3MnO3/（Ag2O）x/2
Peng, Zhensheng, Wang, Gui-ying, Tang, Yonggang, Liu, Niu, Xiaofei
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Abstract
La0.5Sm0.2Sr0.3MnO3/(Ag2O ) x/2 (x = 0.00， 0.04， 0.08， 0.25， 0.30 ) 样品被准备由固态反应方法，和他们的运输行为，运输机制，和磁致电阻效果通过 -T 曲线的测量和试穿被学习。当做的数量是小的时，结果证明元素 Ag 参加反应。Ag 在主人材料的谷物边界主要是分布式的并且当做的数量相对大时，处于金属性的状态；然后，系统变得一二阶段合成。做的 Ag 的小数量能显然增加散布的纺纱依赖者导致的谷物边界磁致电阻。与 30 mol% Ag 做的样品的抵抗力在 0.5 T 的磁场是比低药的样品，和它的磁致电阻的小一个数量级的，在 300 点， K 显然被加强到达9.4%，它与主人材料而且与材料抵抗力的减少的谷物边界结构的改进被连接不仅。