The effect of isovalent impurity of germanium on piezoresistance of silicon

UkraÝna (Otrimano 18 listopada 1999 r.; v ostatoqnomu vigld | 22 berezn 2000 r.) Izovalentni domixkovi atomi Ge elektriqno pasivnimi centrami v kristalah Si, a tomu Ýhn vpliv na optiqni ta elektriqni vlastivosti kremni viznaqat~s navnist v kristalah vnutrixnih deformac nih pol v, k vinikat~qerez nev dpov dn st~kovalentnih rad us v german (RGe = 1:22 A atom v kremn (RSi = 1:17 A). snuvann pol v vnutr xn h napruen~u kristalah z zovalentnimi dom xkami robit~ aktual~nim dosl denn Ýhn~ogo vplivu na k netiqn efekti, osk l~ki v deformovanomu kristal eneretiqni stan elektriqno aktivnih centr v p d d pol prunoÝ deformac Ý zm n t~s.Vivlenn vplivu takih pol v vnutr xn h napruen~na p' zoop r n{Si prisvqena naxa prac.