1993The Journal of The Institute of Image Information and Television EngineersOpen access

Future a-Si TFT Fabrication Technologies for Large-size and High Pixel Density AM LCDs.

Nobuki Ibaraki

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Abstract

a-Si TFTの技術動向のひとつは, ますます大型化・高精細化するアクティブマトリクス液晶ディスプレイへの対応である.特にデバイス性能面からTFT特性の向上, そして生産面からはスループットの向上が大きな課題であろう.この論文では, 次世代技術として最も重要と考えられる, 次の3つの要素技術につき, それらの効果と課題を議論する.(1) TFT特性の高性能化のための自己整合型TFT構造, (2) 自己整合型TFTに必要なプロセス技術としての非質量分離型イオン注入法, および (3) 大型基板の生産性向上のためのa-Si高速成膜技術.もちろん, これらは大型・高精細に限らず, すべてのTFT-LCDに適用しうる.いずれもまだ研究の緒についたばかりであるが, この分野に与える効果は大きく, また期待される技術であろう.

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a-Si TFTの技術動向のひとつは, ますます大型化・高精細化するアクティブマトリクス液晶ディスプレイへの対応である.特にデバイス性能面からTFT特性の向上, そして生産面からはスループットの向上が大きな課題であろう.この論文では, 次世代技術として最も重要と考えられる, 次の3つの要素技術につき, それらの効果と課題を議論する.(1) TFT特性の高性能化のための自己整合型TFT構造, (2) 自己整合型TFTに必要なプロセス技術としての非質量分離型イオン注入法, および (3) 大型基板の生産性向上のためのa-Si高速成膜技術.もちろん, これらは大型・高精細に限らず, すべてのTFT-LCDに適用しうる.いずれもまだ研究の緒についたばかりであるが, この分野に与える効果は大きく, また期待される技術であろう.

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a-Si TFTの技術動向のひとつは, ますます大型化・高精細化するアクティブマトリクス液晶ディスプレイへの対応である.特にデバイス性能面からTFT特性の向上, そして生産面からはスループットの向上が大きな課題であろう.この論文では, 次世代技術として最も重要と考えられる, 次の3つの要素技術につき, それらの効果と課題を議論する.(1) TFT特性の高性能化のための自己整合型TFT構造, (2) 自己整合型TFTに必要なプロセス技術としての非質量分離型イオン注入法, および (3) 大型基板の生産性向上のためのa-Si高速成膜技術.もちろん, これらは大型・高精細に限らず, すべてのTFT-LCDに適用しうる.いずれもまだ研究の緒についたばかりであるが, この分野に与える効果は大きく, また期待される技術であろう.

Key concepts: Thin-film transistor, Fabrication, Liquid-crystal display, Oxide thin-film transistor, Materials science, Optoelectronics, Nanotechnology, Medicine

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Future a-Si TFT Fabrication Technologies for Large-size and High Pixel Density AM LCDs. — Research Paper | ScholarLens