Tadahiko Hirai, S. Hayashi
Abstract
Abstract Chemische Abscheidung aus einem SiCl4‐NH3‐H2‐Gasgemisch bei Temp. zwischen 1350 und 1450°C führt normalerweise zu amorphem oder α‐Si3N4.
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Abstract Chemische Abscheidung aus einem SiCl4‐NH3‐H2‐Gasgemisch bei Temp. zwischen 1350 und 1450°C führt normalerweise zu amorphem oder α‐Si3N4.
Key concepts: Chemical vapor deposition, Silicon nitride, Silicon, Nitride, Deposition (geology), Materials science, Chemistry, Chemical engineering