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1981•ChemInformRequires access

ChemInform Abstract: SURFACE TREATMENT INDUCED SUB‐BAND GAP PHOTORESPONSE OF GALLIUM PHOSPHIDE PHOTOELECTRODES

M. A. Butler, David S. Ginley

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Abstract

Abstract Photoempfindlichkeit bei Energien unterhalb des Bandabstandes läßt sich in GaP‐Elektroden entweder durch mechanische Beschädigung der Oberfläche oder durch kathodisches Altern der Elektrode erzeugen.

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Abstract Photoempfindlichkeit bei Energien unterhalb des Bandabstandes läßt sich in GaP‐Elektroden entweder durch mechanische Beschädigung der Oberfläche oder durch kathodisches Altern der Elektrode erzeugen.

Key concepts: Gallium phosphide, Phosphide, Materials science, Gallium, Optoelectronics, Band gap, Chemistry, Metallurgy

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