1991•KAGAKU KOGAKU RONBUNSHUOpen access
A Study of Film Precursors in SiH4 Plasma-Enhanced CVD.
Akimasa Yuuki, Takaaki Kawahara, Yasuji Matsui, Kunihide Tachibana
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Abstract
SiH4プラズマCVDによるa-Si : H膜の堆積において, プラズマ入力による膜質変化の機構を明らかにするために, 堆積膜の赤外吸収特性, トレンチカバレッジ特性, および, 成膜中のガス組成, プラズマ発光強度などのプラズマ入力による変化を測定し, 次の特性を明らかにした. (1) プラズマ入力が増加するにつれて, 膜中のSi-H2結合が増加し, 同時にカバレッジの均一性が低下する. (2) 変化は低入力側で小さく.SiH4の分解が進む高入力側で著しい. (3) カバレッジ特性の悪化は, 付着確率の1.0に近いラジカルの堆積が増加するためである. (4) 堆積速度の増加率はSiHの発光強度の増加率に比べて大きい.これらの事実より, 高入力条件では高次シラン化合物の分解に起因するラジカルの堆積が増加するとのモデルが考案され, 化学反応を考慮したシミュレーションにより, 期待される堆積速度の妥当性が示された.
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