Change of Structure at Carbonization and Graphitization Processes

550℃で焼成したコークス片を粉砕することなく,そのままの状態で2500℃まで焼成し,X線回折によりその構造変化を検討した。この結果をすでに報告した光学顕微鏡および電子顕微鏡による観察の結果と考えあわせ, 次のような推論を行った。550℃以上の温度で乱された炭素平面分子の層構造が,900℃以上の温度で再構成される過程において2種類の層構造が発生する。その結果3.48Aの面間距離を有する微結晶を主体とし,それら相互間に約3.7Aの面間距離を有する僅かな層構造が共存するようになる。この状態は1500～2000℃間における分裂を伴なう再組織の過程で消失し,セミマクロな安定構造に移行する。このため2000℃以上の焼成試片には著しく粗な組織をへだてたいくつかの回折中心が生ずるようになる。この回折中心となるセミマクロな構造は,それを構成する微結晶がそれぞれ一定方向への配向を示しているものである。