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1978•ChemInformRequires access

ChemInform Abstract: GROWTH OF GALLIUM INDIUM ARSENIDE (GAYIN1‐YAS)/INDIUM PHOSPHIDE (INP) HETEROSTRUCTURES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY

B.I. Miller, J. H. McFee

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Abstract

Abstract Um zu demonstrieren, wie der Grad der Gitteranpassung die Filmparameter wie Morphologie, Oberflächenstruktur oder Trägerkonzentration beeinflußt, werden epitaktische Gay·In1‐yAs‐Schichten (y≈︁0.47) bei 510°C auf (100)‐InP‐Substraten mittels Molekularstrahlepitaxie gezüchtet und die Filmparameter als Funktion von y eingehend untersucht.

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Abstract Um zu demonstrieren, wie der Grad der Gitteranpassung die Filmparameter wie Morphologie, Oberflächenstruktur oder Trägerkonzentration beeinflußt, werden epitaktische Gay·In1‐yAs‐Schichten (y≈︁0.47) bei 510°C auf (100)‐InP‐Substraten mittels Molekularstrahlepitaxie gezüchtet und die Filmparameter als Funktion von y eingehend untersucht.

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Abstract Um zu demonstrieren, wie der Grad der Gitteranpassung die Filmparameter wie Morphologie, Oberflächenstruktur oder Trägerkonzentration beeinflußt, werden epitaktische Gay·In1‐yAs‐Schichten (y≈︁0.47) bei 510°C auf (100)‐InP‐Substraten mittels Molekularstrahlepitaxie gezüchtet und die Filmparameter als Funktion von y eingehend untersucht.

Key concepts: Indium phosphide, Indium, Heterojunction, Gallium arsenide, Molecular beam epitaxy, Materials science, Epitaxy, Optoelectronics

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