2011•Unpublished venueRequires access
Ku-대역 BiCMOS 저잡음 증폭기 설계
장동필, 염인복
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Abstract
0.25 ㎛ SiGe BiCMOS 공정을 이용하여 Ku-대역 저잡음 증폭기가 설계 및 제작되었다. 개발된 Ku-대역 저잡음 증폭기는 BiCMOS 공정의 HBT 소자를 이용하여 설계되었으며, 9～14 ㎓ 대역에서 2.05 ㏈ 이하의 잡음 지수 특성과 19 ㏈ 이상의 이득 특성을 가지고 있다. 제조 공정과 관련되어 제공된 PDK의 부정확성 및 부족한 인덕터 라이브러리를 보완하기 위하여 p-tap 값 최적화와 인덕터의 EM 시뮬레이션 기법 등을 활용하였다. 총 2회의 제작 공정을 수행하였으며, 최종 제작된 Ku-대역 저잡음 증폭기는 0.65 ㎜×0.55 ㎜의 크기로 구현되었다. 특히 최종 제작된 저잡음 증폭기의 레이아웃에서 입/출력 RF Pad와 Bias Pad 등을 제외하고 약 0.4 ㎜×0.4 ㎜ 정도의 크기를 갖도록 조정되어 다기능 RFIC의 증폭단으로 활용되었다.