2005•전자공학회논문지-SDRequires access
단채널 GaAs MESFET 및 SOI구조의 Si JFET의 2차원 전계효과에 대한 해석적 모델에 대한 연구
최진욱, 지순구, 최수홍, 서정하
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Abstract
본 논문에서는 단 채널 GaAs MESFET과 SOI-구조의 Si JFET 가 갖는 전형적인 특성 i) 드레인 전압 인가에 의한 문턱전압 roll-off, ii) 포화영역에서의 유한한 ac 출력저항, iii) 채널길이에 대한 드레인 포화전류의 의존성 약화, 퉁을 통합적으로 기술할 수 있는 해석적 모델을 제안하였다 채널 방향의 전계 변화를 포함하는 새로운 형태의 가정을 기존의 GCA 와 대체하고, 채널의 전류 연속성과 전계-의존 이동도를 고려하여, 공핍영역과 전도 채널에서 2차원 전위분포 식을 도출해 내었다. 이 결과, 문턱전압, 드레인 전류의 표현 식들이 동작전압 전 구간의 영역에 걸쳐 비교적 정확하게 도출되었다 또한 본 모델은 기존의 채널 shortening 모델에 비해 Early 효과에 대한 보다 더 적절한 설명을 제공하고 있음을 보이고 있다.