1993•Applied Science and Convergence TechnologyRequires access
Trimethylgallium, Trimethylauminum과 Arsine을 사용하여 UHVCVD방법으로 성장된 AlGaAs의 탄소 및 알미늄의 유입 특성
노정래, 심재기, 하정숙, 박성주, 이일항
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Abstract
새로운 단결정 박막 성장방법으로 최근에 많은 관심을 끌고 있는 초고진공 화학기상증착법 (Ultra-High Vacuum Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 AlGaAs 에피탁시 박막을 성장시켰다. AlGaAs 에피탁시층의 성장은 2° 경사진 GaAs(100) 기판을 사용하였다. 반응 기체로는 Trimethylgallium(TMGa), Trimethylaluminum(TMAl)과 arsine을 사용하였고, 성장온도는 580~700℃, 기체 압력은 10^(-5)~10^(-4)Torr를 유지하였다. 특히 본 연구에서는 arsine을 사전에 열분해 하는 통상의 Chemical Beam Epitaxy(CBE) 성장법과는 달리, arsine이 표면에서 분해되는 화학 반응만을 사용하여도 AlGaAs 에피탁시를 성장할 수 있음은 물론 박막내의 탄소 불순물의 농도가 크게 낮아짐을 관찰하였다. 또한 성장 온도의 변화에 따른 AlGaAs 에피탁시층의 Al 함유 과정에 대하여도 고찰하였다.